107 silikoonkummi kõvenemise põhimõte on keeruline protsess, mis hõlmab keemilisi reaktsioone ja materjalide struktuurimuutusi. Tuum seisneb silikoonkummi ristsidumise reaktsioonis ja kõvendi rollis.
Esiteks on silikoonkummi ristsidumise reaktsioon kõvenemise kriitiline samm. Selles protsessis reageerivad silikoonkummi molekulaarsel ahelal olevad räni aatomid kõvendi aktiivsete vesinikuaatomitega, moodustades räni-hapniku sidemeid ja disulfiidsidemeid. Räni-hapniku sidemete moodustumine põhjustab silikoonkummi molekulaarsete ahelate vahel ristsidemeid, mille tulemuseks on kolmemõõtmeline võrgustruktuur. See struktuur mitte ainult ei suurenda silikoonkummi tugevust, vaid parandab ka selle elastsust. Disulfiidsidemete moodustumine avaldab veelgi kõvendi ristsiduvat toimet ja kiirendab silikoonkummi kõvenemise kiirust.
107 silikoonkummi puhul on tavaliselt kasutatavad kõvendid peamiselt dietüülmerkaptaan (DET) ja dimetüülmerkaptaan (DMS). Kui need kõvendid lisatakse silikoonkummile, reageerivad kõvendi aktiivsed vesinikuaatomid silikoonkummi molekulaarahelas olevate räniaatomitega, moodustades väävel-räni sidemeid. Selle väävel-räni sideme moodustumine kutsub esile täiendava ristsidumise silikoonkummi molekulaarsete ahelate vahel, mis muudab silikoonkummi vedelast olekust tahkeks.
Oluline on märkida, et lisatud kõvendi kogus ja kõvenemistemperatuur on peamised tegurid, mis mõjutavad kõvenemise kiirust ja kõvenemise efekti. Õige kogus kõvendit ja õige kõvendustemperatuur tagavad silikoonkummi täieliku kõvenemise ja soovitud jõudluse.
Lisaks hõlmab 107 silikoonkummi kõvenemise protsess polümerisatsioonireaktsioone, difusiooni ja termodünaamilisi liikumapanevaid jõude ning kineetilist kontrolli. Polümerisatsioonireaktsioon põhjustab monomeersete molekulide seostumist pikemateks ahelateks, difusiooniprotsess põhjustab molekulide ümberpaigutamist materjalis ning termodünaamiline liikumapanev jõud ja kineetiline kontroll mõjutavad kogu kõvenemisprotsessi.
Üldiselt on 107 silikoonkummi kõvenemise põhimõte keeruline keemiline reaktsiooniprotsess, ristsidumisreaktsiooni ja kõvendi toime kaudu on silikoonkumm võimeline muutuma vedelast olekust tahkeks ning sellel on suurepärane füüsikaline ja keemilised omadused.
